北京京仪集团涿鹿光伏材料有限公司

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156*156规格多晶硅方片标准

生长方法

Growth Method

DSS

导电型号

Conductive Type

P

掺杂剂

Dopant

B

电阻率

Resistivity（ρ）

1.0 -3.0Ω·cm

少子寿命

Minority Carrier Lifetime

≥1.2μs（裸片）

氧含量

Oxygen Content(oi)

≤1.0*1018 at/cm3

碳含量

Carbon Content(c)

≤1.0*1017 at/cm3

硅片尺寸

Size

156*156+0.3mm

倒角线角度

Bebel Edge Angle

45°± 10°

倒角线宽度

Bebel Edge Width

0.5-2mm

硅片厚度

Thickness

200±20 μm

总厚度变化

TTV

≤30μm

线痕

Saw Mark

≤15μm

弯曲度/翘曲度

Bow/Warp

≤30μm

崩边

Chip

宽≤0.3㎜，深度≤0.5㎜,且每片小于1个

微裂纹

Crack

不允许

外观

Appearance

目视检查无污点,缺口,孔洞和裂纹

晶粒尺寸

Crystal Grain

≤10pcs/ cm2

平均转换效率

Average conversion efficiency

17.6%